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IRL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc 文件：313.33 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：281.14 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRL530S_V01	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc 文件：313.33 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：281.14 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRL530S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface-mount\nAvailable in tape and reel\nDynamic dV/dt rating;	Vishay 威世	Vishay
IRL530S/ SiHL530S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET ·Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition\n·Surface Mount\n·Available in Tape and Reel;	Vishay 威世	Vishay
IRL530S/SiHL530S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRL530S
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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