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IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：281.14 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRLI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED POWER MOSFET BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.12Ω ID = 14 A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ 175°C Operating Temperature ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V ♦ Lower RDS(ON): 文件：273.26 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRLI530A	文件：274.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：274.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLI530G	文件：175.4 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A ) 文件：175.4 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRL530STRR
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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