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IRL520A	文件：227.08 Kbytes Page：7 Pages	Advenced Power MOSFET BVDSS = 100 V RDS(on) = 0.22Ω ID = 9.2 A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V ♦ Lower RDS(ON): 0.176Ω (Typ.) 文件：227.08 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IRL520A	文件：280.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL520A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advenced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRL520L	文件：287.92 Kbytes Page：9 Pages	Repetitive Avalanche Rated 文件：287.92 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL520L	文件：334.57 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides inform 文件：334.57 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRL520N	文件：134.24 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：134.24 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

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更多IRL520A供应商更新时间2026-1-26 9:29:00