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IRL530PBF	文件：250.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logiclevelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12Ω ID=14A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦175°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=100V ♦LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLI530A	文件：274.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI530G	文件：175.4 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530G	文件：1.54383 Mbytes Page：8 Pages	Logic-LevelGateDrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI530GPBF	文件：937.18 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRL530NSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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