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深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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    朱先生

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IRL530N

原装正品

20500

23+

专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市特莱科技有限公司

6年 留言
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IRL530N

INFINEON/英飞凌TO-220

25000

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市誉腾达半导体科技有限公司

1年 留言
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IRL530NPBF

INFINEONTO-220-3

3000

22+

公司只有原装

深圳市智连鑫科技有限公司

1年 留言
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IRL530NPBF

INFINEONTO-220-3

8000

23+

只做原装正品,假一罚十

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK

8357

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市航润创能电子集团有限公司

4年 留言
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INFINEON/IRNA

700

21+

只做原装,假一罚十

深圳市美思瑞电子科技有限公司

11年 留言
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IRD2-PAK

9450

22+

原装正品,实单请联系

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-263

1000

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市拓亿芯电子有限公司

11年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-220

15000

23+

原装现货假一赔十

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

10年 留言
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IR/VISHAYTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市微纳尔电子实业有限公司

1年 留言
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INFINEONTO263

2500

21+

只做原装,可开税票

深圳市中正中芯电子科技有限公司

1年 留言
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INFINEONsot

7500

22+

原厂批价一手货源,市场优惠价格

深圳市奥皇科技有限公司

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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3)

14599

22+

只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单

深圳兆威电子有限公司

5年 留言
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Infineon/英飞凌TO-220

8000

2017+

原装正品现货,可开13点税

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

1年 留言
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    福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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INFINEONTO-263

700000

23+

公主请下单 柒号只做原装

深圳市珩瑞科技有限公司

3年 留言
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IRTO-263

6000

21+

原装正品

深圳市特莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

25000

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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INFINEONTO-220-3

3000

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市福田区晶康业电子商行

2年 留言
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IRTO-263

800

20+

全新原装,价格优势

深圳市乐峰达科技有限公司

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INFINEONTO-220-3

8000

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IRL530NPBF价格

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IRL530N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220

IRL530NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube

IRL530NL功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL530NLPBF制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET

IRL530NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL530NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL530NSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL530NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL530NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRL530NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 100mOhm 22.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube