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FDMC6296

Single N-Channel Logic-Level Power Trench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDMC6296

Single N-Channel Logic-Level Power Trench MOSFET;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDU6296

30VN-ChannelFastSwitchingPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features •50A,30

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FP6296

10ACurrentModeNon-SynchronousPWMBoostConverter

FEELINGFeeling Technology Corp.

远翔科技远翔科技股份有限公司

HB6296

此文件是高压大电流,2-10节锂电充电管理芯片HB6296的PDF资料。

HB

HB Electronic Components

详细参数

  • 型号:

    FDMC6296

  • 功能描述:

    MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMC6296供应商 更新时间2025-7-30 19:27:00