N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ

各 N 沟道逻辑电平 MOSFET 均采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on)=24 mΩ，当 VGS=10 V、ID=6.5 A\n• 最大 rDS(on)=35 mΩ，当 VGS=4.5 V、ID=5.5 A\n• HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

文件：266.05 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 100 V, 22 A, 25 m廓

文件：306.54 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel MOSFET

文件：233.34 Kbytes 页数：5 Pages

KEXIN

科信电子

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 6.6 A, 28 m廓

文件：257.82 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体