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N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ; • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on)=24 mΩ，当 VGS=10 V、ID=6.5 A\n• 最大 rDS(on)=35 mΩ，当 VGS=4.5 V、ID=5.5 A\n• HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\n;

各 N 沟道逻辑电平 MOSFET 均采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺制造而成，集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

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N-Channel Power Trench짰 MOSFET

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N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,30A,24m廓

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N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,36A,24m廓

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

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N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

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N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=100V,ID=40A RDS(ON)

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N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,35A,22.5m廓