N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，25A，34mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •Max rDS(on) = 34 mΩ （在VGS= 10 V, ID = 5.4 A时）\n•最大值rDS(on) = 44 mΩ （在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A时）\n•通态电阻rDS(on)极低的高性能技术\n•100%经过UIL测试\n•终端为无铅产品\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

150 V N 沟道 Power Trench® MOSFET

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •扩展额定 TJ 至 175°C\n•最大值 rDS(on) = 34 mΩ（VGS = 10 V, ID = 5.4 A时）\n•最大值 rDS(on) = 44 mΩ（在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A时）\n•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术\n•100% 经过 UIL 测试\n•终端为无铅产品\n•符合 RoHS 标准\";

ONSEMI

安森美半导体

ON
N/A

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DFN8

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