Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This package integrates two N-Channel devices connected internally in common-source configuration. This enables very low package parasitics and optimized thermal path to the common source pad on the bottom. Provides a very small footprint (3.3 x 5 mm) for higher power den

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，21A，20mΩ

该封装内集成两个N-沟道，相互内部连接，组成共源结构。 如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。 从而以极小的尺寸 (3.3 x 5 mm) 实现了较高的功率密度 • 最大值 rDS(on) = 20 mΩ（需 VGS = 10 V，ID = 7 A）\n• 最大 rDS(on) = 32 mΩ (VGS = 6 V, ID = 5.5 A)\n•满足二次侧同步整流灵活布局的需要\n•终端无引线且符合 RoHS 标准 \n• 100% 经过 UIL 测试;

ONSEMI

安森美半导体

80 AMP SCHOTTKY RECTIFIER

文件：131.96 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美

80 Amp Rectifier 60 to 100 Volts Schottky Barrier

Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability

文件：667.95 Kbytes 页数：3 Pages

MCC

PASSIVE DEVICES MNS Capacitors

文件：78.12 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美