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FDMC89521L	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，8.2A，17mΩ 该器件包括两个60V N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。封装增强用于出色的热性能。 •最大值 rDS(on) = 17 mΩ（VGS = 10 V、ID = 8.2 A 时）\n•VGS = 4.5 V，ID = 6.7 A时，最大rDS(on) = 27mΩ\n•终端为无铅产品\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC89521L	文件：310.44 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60 V, 8.2 A, 17 m廓文件：310.44 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMC89521L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN8	ON 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	ON
FDMD84100	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33x5-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON
FDMF6823C	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN40	ON 上传：深圳市海天鸿电子科技有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
8.2
PD Max (W)：
16
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
27
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
17
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7.9
Ciss Typ (pF)：
1228
Package Type：
WDFN-8

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更多FDMC89521L供应商更新时间2025-12-9 16:12:00

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