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FDMC89521L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC89521L

功能描述

双 N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,8.2A,17mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDMC89521L规格书详情

描述 Description

该器件包括两个60V N沟道MOSFET,采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 封装增强用于出色的热性能。

特性 Features

•最大值 rDS(on) = 17 mΩ(VGS = 10 V、ID = 8.2 A 时)
•VGS = 4.5 V,ID = 6.7 A时,最大rDS(on) = 27mΩ
•终端为无铅产品
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费电子

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC89521L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :8.2

  • PD Max (W)

    :16

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.9

  • Ciss Typ (pF)

    :1228

  • Package Type

    :WDFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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