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FDMC89521L中文资料双 N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，8.2A，17mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC89521L规格书详情
描述 Description
该器件包括两个60V N沟道MOSFET，采用双Power33 (3mm x 3mm MLP)封装。 封装增强用于出色的热性能。
特性 Features
•最大值 rDS(on) = 17 mΩ（VGS = 10 V、ID = 8.2 A 时）
•VGS = 4.5 V，ID = 6.7 A时，最大rDS(on) = 27mΩ
•终端为无铅产品
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费电子
技术参数
- 制造商编号
：FDMC89521L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：8.2
- PD Max (W)
：16
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：27
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：17
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.9
- Ciss Typ (pF)
：1228
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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105000 |
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FAIRCHILD |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
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