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FDMC86259P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMC86259P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 107 mΩ，条件是 VGS = -10 V，ID = -3 A
• 最大 rDS(on) = 137 mΩ，条件是 VGS = -6 V，ID = -2.7 A
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86259P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-13
- PD Max (W)
：62
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：107
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：1535
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
QFN |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMC86259P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
Power-33-8 |
11005 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
POWER33 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
PQFN8 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
Power-33-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
