FDMC86102中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，20 A，24 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC86102规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 24 mΩ（需 VGS = 10 V, ID = 7 A）
• 最大值 rDS(on) = 38 mΩ（需 VGS = 6 V, ID = 5 A）
• 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33封装
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC86102
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：20
- PD Max (W)
：41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：24
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：725
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
13+ |
QFN |
250 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2051+ |
NA |
27000 |
原装正品 价格极优 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
QFN8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
QFN |
711 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
QFN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2500 |
DFN3X3 |
36520 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
PQFN-8 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
FSC |
2021+ |
QFN8 |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
询价 |
