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FDMC86102数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC86102

功能描述

N 沟道,屏蔽门极,PowerTrench® MOSFET,100 V,20 A,24 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:04:00

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FDMC86102规格书详情

描述 Description

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化,适用通态电阻优化,却仍保持卓越的开关性能。

特性 Features

•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 24 mΩ(需 VGS = 10 V, ID = 7 A)
• 最大值 rDS(on) = 38 mΩ(需 VGS = 6 V, ID = 5 A)
• 薄型 - 最大 1 mm,采用 Power 33封装
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC86102

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :41

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :24

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8

  • Ciss Typ (pF)

    :725

  • Package Type

    :PQFN-8

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