FDMC7680中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，14.8A，7.2mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC7680规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 14.8 A时，最大rDS(on) = 7.2 mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 12.4 A时，最大rDS(on) = 9.5 mΩ
•通态电阻rDS(on)极低的高性能技术
•终端是符合RoHS标准的无铅产品
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC7680
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：14.8
- PD Max (W)
：31
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：9.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：2145
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
4120 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
MLP(3 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN3X3 |
504661 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
新年份 |
DFN33 |
67430 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
QFN |
9980 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
WDFN |
3925 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
DFN8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
MLP 3.3×3.3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
