FDMC6686P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-56A，4mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC6686P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺已针对 rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 4 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -18 A 时）
• 最大值 rDS(on) = 5.7 mΩ（VGS = -2.5 V,ID = -16 A 时）
• 最大值 rDS(on) =11.5 mΩ（VGS = -1.8 V, ID = -11 A 时）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 无铅并符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC6686P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1
- ID Max (A)
：-56
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：5.7
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：1.8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：87
- Ciss Typ (pF)
：8800
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
PQFN-8 |
37048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
6937 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
QFN |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
21+ |
PowerWDFN |
6000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
PQFN-8 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN8 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
PQFN-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
PQFN-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
