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FDMC012N03数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMC012N03

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30 V,1.23 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 12:00:00

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FDMC012N03规格书详情

描述 Description

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产,该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 1.23 mΩ(VGS = 10 V、ID = 35 A)
• 最大 rDS(on) = 1.46 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 32 A)
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•终端为无铅产品
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMC012N03

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :35

  • PD Max (W)

    :64

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.46

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.23

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :35

  • Ciss Typ (pF)

    :5845

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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