FDMC012N03中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30 V，1.23 mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 1.23 mΩ（VGS = 10 V、ID = 35 A）
• 最大 rDS(on) = 1.46 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 32 A）
• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•终端为无铅产品
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

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