首页>FDMA86265P>规格书详情

FDMA86265P数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDMA86265P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-150V,-1A,1.2Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-10 14:36:00

人工找货

FDMA86265P价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDMA86265P规格书详情

描述 Description

此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产,工艺经过优化,可实现最低通态电阻,同时仍保持卓越的开关性能。

特性 Features

• 最大 rDS(on)=1.2 Ω(VGS=-10 V、ID=-1 A)
• 最大 rDS(on) =1.4 Ω(VGS=-6 V、ID=-0.9 A)
• 薄型 – 最大 0.8mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低,非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA86265P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-150

  • VGS Max (V)

    :±25

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-1

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :18

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.8

  • Ciss Typ (pF)

    :158

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
WDFN-6
15000
原装原标原盒 给价就出 全网最低
询价
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
询价
ON/安森美
22+
6-WDFN
12000
原装正品
询价
ONSEMI/安森美
25+
6-WDFN
32360
ONSEMI/安森美全新特价FDMA86265P即刻询购立享优惠#长期有货
询价
ON
21
QFN
24000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON/安森美
2223+
6-WDFN
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
ON
21+
QFN
69000
原装现货假一赔十
询价
80000
询价
ON
2023+
6-WDFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
onsemi(安森美)
2025+
DFNWB-6-EP(2x2)
55740
询价