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FDMA86265P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMA86265P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产,工艺经过优化,可实现最低通态电阻,同时仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on)=1.2 Ω(VGS=-10 V、ID=-1 A)
• 最大 rDS(on) =1.4 Ω(VGS=-6 V、ID=-0.9 A)
• 薄型 – 最大 0.8mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低,非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDMA86265P
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-150
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:-4
- ID Max (A)
:-1
- PD Max (W)
:2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:1200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:18
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:2.8
- Ciss Typ (pF)
:158
- Package Type
:WDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
WDFN-6 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
6-WDFN |
12000 |
原装正品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
6-WDFN |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMA86265P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
21 |
QFN |
24000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
6-WDFN |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ON |
21+ |
QFN |
69000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
80000 |
询价 | ||||||
ON |
2023+ |
6-WDFN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
DFNWB-6-EP(2x2) |
55740 |
询价 |