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FDMA86265P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-1A，1.2Ω数据手册ONSEMI规格书
FDMA86265P规格书详情
描述 Description
此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on)=1.2 Ω（VGS=-10 V、ID=-1 A）
• 最大 rDS(on) =1.4 Ω（VGS=-6 V、ID=-0.9 A）
• 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA86265P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-1
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：18
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.8
- Ciss Typ (pF)
：158
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
24+ |
6-WDFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
6-WDFN |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMA86265P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
WDFN-6 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
21 |
QFN |
24000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
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询价 | ||||
ON/安森美 |
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N/A |
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询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
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原装正品,力挺实单 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
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20094 |
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询价 |
