首页>FDMC007N08LC>规格书详情
FDMC007N08LC中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，66A，7.0mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC007N08LC规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用 Fairchild 的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现通态电阻最小化，同时保持业界最佳的软体二极管
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 7.0 m（VGS = 10 V、ID = 21 A）
• 最大 rDS(on) = 10.4 m（VGS = 4.5 V、ID = 17 A）
•支持 5 V 驱动
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
•降低了开关噪声/EMI
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC007N08LC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：66
- PD Max (W)
：57
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：10.4
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：2100
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
4526 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
DFN8 |
8182 |
原装正品 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON |
23+ |
PQFN-8 |
3000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
23+ |
DFN3X3 |
7800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
15610 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
Fairchild/ON |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ON |
24+ |
PQFN-8 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 |
