FDMA8884中文资料30V单N沟道PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDMA8884规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)开关性能进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10 V，ID = 6.5 A时，最大rDS(on) = 23mΩ
•VGS = 4.5 V，ID = 6.0 A时，最大rDS(on) = 30mΩ
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•快速开关速度
•符合RoHS标准
应用 Application
• 笔记本电脑
技术参数
- 制造商编号
：FDMA8884
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：6.5
- PD Max (W)
：1.9
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：23
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.7
- Ciss Typ (pF)
：339
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
16600 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN6 |
2685 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
DFN2x2B6L |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
23+ |
WDFN-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
DFN2020-6 |
504617 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
DFN2x2B6L |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
MicroFET-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
