FDMA507PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMA507PZ规格书详情
描述 Description
该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。
特性 Features
•VGS = -5 V，ID = -7.8 A时，最大rDS(on) = 24mΩ
•VGS = -4.5 V，ID = -7 A时，最大rDS(on) = 25mΩ
•VGS = -2.5 V，ID = -5.5 A时，最大rDS(on) = 35mΩ
•VGS = -1.8 V，ID = -4 A时，最大rDS(on) = 45mΩ
•薄型 – 最大0.8mm – 采用MicroFET2x2 mm封装
•HBM ESD保护等级>3.2KV，典型值（注3）
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA507PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-7.8
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：25
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：14
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：30
- Ciss Typ (pF)
：1515
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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QFN6 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
QFN6 |
13525 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
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24+ |
DFN2020-6 |
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询价 | ||
FAIRCHTLD |
23+ |
QFN |
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原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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QFN-6 |
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FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
5417 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN-6 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 |
