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FDMA507PZ中文资料P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-7.8A,24mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMA507PZ

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-7.8A,24mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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FDMA507PZ规格书详情

描述 Description

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

•VGS = -5 V,ID = -7.8 A时,最大rDS(on) = 24mΩ
•VGS = -4.5 V,ID = -7 A时,最大rDS(on) = 25mΩ
•VGS = -2.5 V,ID = -5.5 A时,最大rDS(on) = 35mΩ
•VGS = -1.8 V,ID = -4 A时,最大rDS(on) = 45mΩ
•薄型 – 最大0.8mm – 采用MicroFET2x2 mm封装
•HBM ESD保护等级>3.2KV,典型值(注3)
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA507PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-7.8

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :14

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :1515

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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