FDMA3023PZ中文资料双 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-2.9A，90mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

•最大rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V，ID= -2.9 A）
•最大rDS(on) = 130 mmΩ （VGS = -2.5 V, ID= -2.6 A）
•最大rDS(on) = 170 mmΩ （VGS = -1.8 V, ID= -1.7 A）
•最大rDS(on) = 240 mmΩ （VGS = -1.5 V, ID= -1.0 A）
•薄型 – 最厚0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.