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FDM606P中文资料P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDM606P

功能描述

P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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技术参数

  • 型号:

    FDM606P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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