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FDM606P

P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsuitedforportable

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDM606P

P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FG606

6.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERSLOWCOSTLOWLEAKAGE

FCIFirst Components International

戈采戈采企业股份有限公司

FGBU606

6.0AUITRASOFTRECOVERYBRIDGE

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

FR606

6.0AMPS.FASTRECOVERYRECTIFIERS

VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES *Lowforwardvoltagedrop *Highcurrentcapability *Highreliability *Highsurgecurrentcapability

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

详细参数

  • 型号:

    FDM606P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDM606P供应商 更新时间2025-7-30 11:37:00