Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET， 1.8V 指定，-20V，-6.6A，42mΩ

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 • -6.6 A，-20 V\n•RDS(ON) = 42 mΩ @ VGS = -4.5 V\n•RDS(ON) = 58 mΩ（VGS = -2.5V）\n•RDS(ON) = 98 mΩ（VGS = -1.8V）\n•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•无任何卤代化合物和锑氧化物\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体