FDMA291P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET， 1.8V 指定，-20V，-6.6A，42mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

• -6.6 A，-20 V
•RDS(ON) = 42 mΩ @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 58 mΩ（VGS = -2.5V）
•RDS(ON) = 98 mΩ（VGS = -1.8V）
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•无任何卤代化合物和锑氧化物
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.