FDMA291P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMA291P规格书详情
描述 Description
该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。
特性 Features
• -6.6 A,-20 V
•RDS(ON) = 42 mΩ @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 58 mΩ(VGS = -2.5V)
•RDS(ON) = 98 mΩ(VGS = -1.8V)
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•无任何卤代化合物和锑氧化物
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDMA291P
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-20
- VGS Max (V)
:8
- VGS(th) Max (V)
:-1
- ID Max (A)
:-6.6
- PD Max (W)
:2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:58
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:42
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:10
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:10
- Ciss Typ (pF)
:1000
- Package Type
:WDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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FAIRCHILD |
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