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FDMA291P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMA291P

功能描述

P 沟道,PowerTrench® MOSFET, 1.8V 指定,-20V,-6.6A,42mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 23:01:00

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FDMA291P规格书详情

描述 Description

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

• -6.6 A,-20 V
•RDS(ON) = 42 mΩ @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 58 mΩ(VGS = -2.5V)
•RDS(ON) = 98 mΩ(VGS = -1.8V)
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•无任何卤代化合物和锑氧化物
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA291P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-6.6

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :58

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10

  • Ciss Typ (pF)

    :1000

  • Package Type

    :WDFN-6

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