FDMA2002NZ中文资料双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，2.9A，123mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

•2.9 A，30 V
•RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V
•RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•HBM ESD保护等级 = 1.8kV（注3）
•符合RoHS标准
•无任何卤代化合物和锑氧化物

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.