FDMA1032CZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该器件专为设计作为单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用中的DC/DC“开关”MOSEFT。 该器件具有一个带低通态电阻的独立N沟道和P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 每个MOSFET的栅极电荷也已被降至最低，以允许从控制器件直接实现高频率开关。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关应用。

特性 Features

•Q1： N沟道3.7A，20V。 RDS(ON) = 68 mΩ @ VGS = 4.5VRDS(ON) = 86 mΩ @ VGS = 2.5V
•Q2: P-Channel–3.1 A, –20VRDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = –4.5VRDS(ON) = 141 mΩ @ VGS = –2.5V
•Low profile – 0.8 mm maximum – in the new package MicroFET 2x2 mm
•HBM ESD protection level > 2 kV (Note 3)
•RoHS Compliant
•Free from halogenated compounds and antimony oxides

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.