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FDMA1028NZ中文资料双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V,3.7A,68mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMA1028NZ

功能描述

双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V,3.7A,68mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 20:00:00

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FDMA1028NZ规格书详情

描述 Description

该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET,可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

•3.7 A,20V。 RDS(ON) = 68 mΩ @ VGS = 4.5VRDS(ON) = 86 mΩ @ VGS = 2.5V
•薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•HBM静电放电保护等级为>2kV(注3)
•符合RoHS标准
•无任何卤代化合物和锑氧化物

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA1028NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :3.7

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=86

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :340

  • Package Type

    :WDFN-6

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