FDMA1023PZ中文资料双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.7A，72mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低导通损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

•最大 rDS(on) = 72 mΩ（VGS = –4.5 V、ID = –3.7 A 时）
•最大 rDS(on) = 95 mΩ（VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A 时）
•最大 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = –1.8 V、ID = –2.0 A 时）
•最大 rDS(on) = 195 mΩ（VGS = –1.5 V、ID = –1.0 A 时）
•薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
•HBM ESD 保护等级>2 kV 典型值
•符合 RoHS 标准
•无任何卤代化合物和锑氧化物

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.