FDM3622中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,4.4A,60mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDM3622规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•最大 rDS(on) = 60 mΩ(VGS = 10 V、ID = 4.4 A)
•最大 rDS(on) = 80 mΩ(VGS = 6.0 V、ID = 3.8 A)
•低密勒电荷
•低 QRR体二极管
•优化高频率时的效率
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)以前的开发类型 82744
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDM3622
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:4.4
- PD Max (W)
:2.1
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:60
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:10
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:13
- Ciss Typ (pF)
:820
- Package Type
:WDFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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