FDMA1025P中文资料双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低导通损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

•最大rDS(ON) = 155mΩ（VGS = -4.5V，ID = -3.1A）
•最大rDS(ON) = 220mΩ（VGS = -2.5V，ID= -2.3A）
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•符合 RoHS 标准
•无任何卤代化合物和锑氧化物

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.