Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm

General Description This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra - portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低导通损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 •最大rDS(ON) = 155mΩ（VGS = -4.5V，ID = -3.1A）\n•最大rDS(ON) = 220mΩ（VGS = -2.5V，ID= -2.3A）\n•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•符合 RoHS 标准\n•无任何卤代化合物和锑氧化物;

ONSEMI

安森美半导体