首页>FDMA1029PZ>规格书详情

FDMA1029PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDMA1029PZ

功能描述

双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-3.1A,95mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-12 17:55:00

人工找货

FDMA1029PZ价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDMA1029PZ规格书详情

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案,适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET,以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时,可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

• -3.1 A、-20V:
• RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = -4.5 V
• RDS(ON) = 141 mΩ @ VGS = -2.5 V
• 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
• HBM ESD保护等级> 2.5kV(参见数据手册注3)
• 符合RoHS标准
• 无卤素化合物和锑氧化物

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA1029PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-3.1

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=141

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=95

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :540

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ON/安森美
23+
MicroFET 2x2
8080
正规渠道,只有原装!
询价
FAIRCHILD
1836+
QFN
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
12317
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
Fairchild
25+
DFN-6
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
ON
24+
QFN
8000
原装,正品
询价
FAIRCHILD
21+
QFN
14592
原装现货假一赔十
询价
ON
19+
QFN
9000
全新原装公司现货
询价
ON/安森美
24+
DFN2020-6
504598
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
FAI
ROHS
13352
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价