Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-3.1A，95mΩ

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 • -3.1 A、-20V：\n• RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = -4.5 V\n• RDS(ON) = 141 mΩ @ VGS = -2.5 V\n• 薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm\n• HBM ESD保护等级> 2.5kV（参见数据手册注3）\n• 符合RoHS标准\n• 无卤素化合物和锑氧化物;

ONSEMI

安森美半导体