FDMA1430JP中文资料集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和 BJT，-30V，-2.9A，90mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。 在其节省空间的 MicroFET2x2 封装内具有 50 V NPN BJT 和 30 V P 沟道 MOSFET 产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。

特性 Features

最大值 rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -2.9 A）
最大值 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -2.6 A）
最大值 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = -1.8 V，ID = -1.7 A）
最大值 rDS(on) = 240 mΩ（VGS = -1.5 V，ID = -1 A）
薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装
HBM 静电放电保护等级>2 kV 典型值（注3）
符合RoHS标准

应用 Application

Loadswitching

简介

FDMA1430JP属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由制造生产的FDMA1430JP晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列，带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接，可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途，例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。