集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和 BJT，-30V，-2.9A，90mΩ

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。 在其节省空间的 MicroFET2x2 封装内具有 50 V NPN BJT 和 30 V P 沟道 MOSFET 产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。 最大值 rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -2.9 A）\n 最大值 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -2.6 A）\n 最大值 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = -1.8 V，ID = -1.7 A）\n 最大值 rDS(on) = 240 mΩ（VGS = -1.5 V，ID = -1 A）\n 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装\n HBM 静电放电保护等级>2 kV 典型值（注3）\n 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Max rDS(on) = 90 m廓 at VGS = -4.5 V, ID = -2.9 A

文件：222.65 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Package：6-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 描述：FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF

ONSEMI

安森美半导体

2W Stereo Audio Amplifier

文件：416.49 Kbytes 页数：26 Pages

GMT

致新科技

5-kVRMS Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Robust EMC

文件：3.90149 Mbytes 页数：47 Pages

TI

德州仪器

ISO14xx 5kVRMS Isolated RS-485/RS-422 Transceiver With Robust EMC

1 Features • Compatible with TIA/EIA-485-A • PROFIBUS compatible at 5V bus-side supply • Bus I/O protection – ±30kV HBM – ±16kV IEC 61000-4-2 Contact discharge – ±4kV IEC 61000-4-4 Electrical fast transient • Low-EMI 500kbps, 12Mbps and 50Mbps Data Rates • 1.71V to 5.5V logic-side supply

文件：2.43024 Mbytes 页数：49 Pages

TI

德州仪器