集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和 BJT，-30V，-2.9A，90mΩ

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。 在其节省空间的 MicroFET2x2 封装内具有 50 V NPN BJT 和 30 V P 沟道 MOSFET 产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。 最大值 rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -2.9 A）\n 最大值 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -2.6 A）\n 最大值 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = -1.8 V，ID = -1.7 A）\n 最大值 rDS(on) = 240 mΩ（VGS = -1.5 V，ID = -1 A）\n 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装\n HBM 静电放电保护等级>2 kV 典型值（注3）\n 符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Max rDS(on) = 90 m廓 at VGS = -4.5 V, ID = -2.9 A

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FAIRCHILD

仙童半导体

Package：6-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 描述：FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF

ONSEMI

安森美半导体

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

DESCRIPTION The KV1430 variable capacitance diode was specially made to be used as tuning elements in car radios, radio cassettes, stereos, and other consumer radios. The KV1430 is suitable for wide band tuning from 76 to 108 MHz. If the KV1430 is used only for FM reception, it is possible to op

文件：35.84 Kbytes 页数：4 Pages

TOKO

20 - 40 GHz X3 Frequency Multiplier

Key Features and Performance • 0.25um pHEMT Technology • 20 - 40 GHz Output Frequencies • 8.5 - 13.5 GHz Fundamental Frequencies • -15 +/- 2dB Conversion Gain • 18 dBm Input Drive Optimum • 15dB Fundamental Isolation • 30dB 2nd Harmonic Isolation Primary Applications • Point-to-Point Radi

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TRIQUINT

20 - 40 GHz IQ Mixer

Key Features and Performance • 0.25um pHEMT Technology • 20 - 40 GHz RF/LO Frequencies • DC - 1GHz IF • -11 +/- 1dB Conversion Gain • 15 dBm Input Drive Primary Applications • Point-to-Point Radio • Point-to-Multipoint Communications • Image Reject Mixers

文件：438.55 Kbytes 页数：3 Pages

TRIQUINT