Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -6.8A, 35mohm

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仙童半导体

Single P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

Single P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-6.8A，35mΩ

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它提供了具有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。 • 最大 RDS(on) = 35 mΩ（VGS = -10 V、ID = -6.8 A 时）\n• 最大 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -5.0 A 时）\n• 薄型 - 最大 0.8 mm - 采用新的 MicroFET 2X2 mm 封装\n• HBM ESD 保护电平>3 kV 典型值（注 3）\n• 无卤素化合物和锑氧化物\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体