FDMA530PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它提供了具有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

• 最大 RDS(on) = 35 mΩ（VGS = -10 V、ID = -6.8 A 时）
• 最大 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -5.0 A 时）
• 薄型 - 最大 0.8 mm - 采用新的 MicroFET 2X2 mm 封装
• HBM ESD 保护电平>3 kV 典型值（注 3）
• 无卤素化合物和锑氧化物
• 符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.