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FDMA3028N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMA3028N

功能描述

双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,3.8A,68mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 23:01:00

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FDMA3028N规格书详情

描述 Description

该器件是专为满足蜂窝手机和其他超便携应用中的双开关要求而设计的单封装解决方案。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET,可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

•VGS = 4.5 V且ID = 3.8 A时,最大rDS(on) = 68 mΩ
•VGS = 2.5 V且ID = 3.4 A时,最大rDS(on) = 88 mΩ
•在VGS = 1.8 V且ID = 2.9 A时,最大值rDS(on) = 123 mΩ
•薄型 – 最厚0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•符合RoHS标准

应用 Application

• 手机
• 便携设备

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA3028N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :3.8

  • PD Max (W)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=88

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.7

  • Ciss Typ (pF)

    :282

  • Package Type

    :WDFN-6

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