FDMA3027PZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该器件是专门设计用作有双开关要求的单一封装解决方案，例如更大型Mosfet的栅极驱动器。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

特性 Features

• Max rDS(on) = 87 mΩ at VGS = -10 V, ID = -3.3 A
• Max rDS(on) = 152 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A
• HBM ESD protection level > 2 KV typical (Note 3)
• Low profile - 0.8 mm maximum - in the new packageMicroFET 2x2 mm
• RoHS Compliant

应用 Application

• 配电