FDMA510PZ中文资料单 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -20V，-7.8A，30mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA510PZ规格书详情
描述 Description
该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低通态电阻的MOSFET。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。
特性 Features
•VGS = -4.5V，ID = -7.8A时，最大rDS(on) = 30 mΩ
•VGS = -2.5V，ID = -6.6A时，最大rDS(on) = 37 mΩ
•VGS = -1.8V，ID = -5.5A时，最大rDS(on) = 50mΩ
•VGS = -1.5V，ID = -2.0A时，最大rDS(on) = 90 mΩ
•薄型 - 最大0.8 mm - 采用新的MicroFET 2X2 mm封装
•HBM ESD保护等级> 3kV典型值（注3）
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA510PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-7.8
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：37
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：9
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ciss Typ (pF)
：1110
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
DFN-6 |
3000 |
代理货源假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DFN-6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
224 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
160 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON |
24+ |
DFN-6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
6-MicroFET |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDMA510PZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
NA |
15000 |
询价 | |||
FAIRCHI |
15+ |
6/DFN |
1200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
