FDMA420NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMA420NZ规格书详情
描述 Description
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 2.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
特性 Features
•VGS = 4.5V，ID = 5.7A时，最大rDS(on) = 30 mΩ
•VGS = 2.5V，ID = 5.0A时，最大RDS(on) = 40 mΩ
•薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
•HBM ESD保护电平 = 2.5kV典型值 （注3）
•无卤素化合物和锑氧化物
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA420NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：5.7
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：30
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.8
- Ciss Typ (pF)
：701
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
DFN2020-6 |
20300 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
23000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN22 |
16423 |
原装正品,假一罚十! |
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FAIRCHILD |
24+ |
QFN6 |
20000 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
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NA |
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23+ |
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FAIRCHILD |
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QFN |
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FSC |
07+ |
QFN |
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ONSEMI |
两年内 |
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ON/安森美 |
24+ |
MicroFET-6 2×2 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
