FDMA430NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMA430NZ规格书详情
描述 Description
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 2.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
特性 Features
•RDS(on) = 40mΩ @ VGS = 4.5 V，ID = 5.0A
•RDS(on) = 50mΩ@ VGS = 2.5 V，ID = 4.5A
•薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
•HBM ESD保护电平> 2.5kV典型值 （注3）
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA430NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：5
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：19
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：7.3
- Ciss Typ (pF)
：600
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
DFN |
8575 |
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DFN-6 |
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ON |
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DFN |
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ON |
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DFN |
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