FDMA410NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMA410NZ规格书详情
描述 Description
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，用于优化VGS = 1.5 V时专用MicroFET引线框上的rDS(ON)。
特性 Features
•VGS = 4.5 V，ID = 9.5 A时，Max rDS(on) = 23 mΩ
•VGS = 2.5 V，ID = 8.0 A时，最大rDS(on) = 29mΩ
•VGS = 1.8 V，ID = 4.0 A时，最大rDS(on) = 36mΩ
•VGS = 1.5 V，ID = 2.0 A时，最大rDS(on) = 50mΩ
•HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）
•薄型 - 最大0.8 mm - 采用新的MicroFET 2X2 mm封装
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA410NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：1
- ID Max (A)
：9.5
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：29
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：23
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：8.8
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：815
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
16048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
QFN6 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
DFN2020-6 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDMA410NZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
microFET-6 |
15000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
24+ |
QFN6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2870 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON |
21+ |
QFN |
3000 |
全新原装 |
询价 | ||
FSC |
1717+ |
QFN6 |
118 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
