FDMA520PZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-7.3A，30mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA520PZ规格书详情
描述 Description
该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低导通电阻的MOSFET。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。
特性 Features
•VGS = –4.5V，ID = -7.3A时，最大rDS(on) = 30 mΩ
•VGS = –2.5V，ID = -5.5A时，最大rDS(on) = 53 mΩ
•薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm
•HBM ESD保护电平> 3kV典型值 （注3）
• 不含有卤化合物和氧化锑
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA520PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-7.3
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：53
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：30
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：21
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：14
- Ciss Typ (pF)
：1235
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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QFN |
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FAIRCHILD |
24+ |
QFN |
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ONSEMI/安森美 |
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WDFN6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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