Single P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -7.3A, 30mohm

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Fairchild

仙童半导体

Single P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20V, -7.3A, 30m廓

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Single P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20V, -7.3A, 30m廓

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仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-7.3A，30mΩ

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 它具有带低导通电阻的MOSFET。MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 •VGS = –4.5V，ID = -7.3A时，最大rDS(on) = 30 mΩ\n•VGS = –2.5V，ID = -5.5A时，最大rDS(on) = 53 mΩ\n•薄型 - 0.8mm最大值 - 采用新封装MicroFET 2x2 mm\n•HBM ESD保护电平> 3kV典型值 （注3）\n• 不含有卤化合物和氧化锑\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体