FDMA410NZT数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该单 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench 工艺设计而成，用于优化 VGS = 1.5 V 时专用 MicroFET 引线框上的rDS(ON)。这种设计和 FDMA410NZ 相似，然而它采用我们先进的 0.55 mm 最大 2x2 MLP 新型封装技术。

特性 Features

• 0.55 mm 最大封装高度 MicroFET 2x2 mm 封装
• 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 4.5 V、 ID = 9.5 A）
• 最大值 rDS(on) = 29 mΩ（VGS = 2.5 V、 ID = 8.0 A）
• 最大值 rDS(on) = 36 mΩ（VGS = 1.8 V、 ID = 4.0 A）
• 最大值 rDS(on) = 50 m： （VGS = 1.5 V、ID = 2.0 A）
• HBM 静电放电保护等级>2.5 kV（注 3）
• 薄型 – 最大 0.8 mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
• 无卤素化合物和锑氧化物
• 符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.