Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20 V, -3.6 A, 60 m廓

General Description This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultraportable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.6A，60mΩ

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2超薄封装针对其物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。 •VGS = -4.5 V，ID = -3.6 A时，最大rDS(on) = 60mΩ\n•VGS = -2.5 V，ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 80mΩ\n•最大rDS(on) = 110 mΩ （VGS = -1.8 V, ID = -2.0 A）\n•VGS = -1.5 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 170mΩ\n•薄型 - 最厚0.55 mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm薄型封装\n•HBM静电放电保护等级> 2.4kV典型值 （注3）\n•符合RoHS标准\n•不含有卤化合物和氧化锑;

ONSEMI

安森美半导体

Heyco® Retaining Sealing Washers

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Heyco

Manual Motor Controllers and Disconnects

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

Hall voltage sensor

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YHDC

德昌电气设备