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FDMA6023PZT中文资料双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.6A，60mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA6023PZT规格书详情
描述 Description
该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2超薄封装针对其物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
特性 Features
•VGS = -4.5 V，ID = -3.6 A时，最大rDS(on) = 60mΩ
•VGS = -2.5 V，ID = -3.0 A时，最大rDS(on) = 80mΩ
•最大rDS(on) = 110 mΩ （VGS = -1.8 V, ID = -2.0 A）
•VGS = -1.5 V，ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 170mΩ
•薄型 - 最厚0.55 mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm薄型封装
•HBM静电放电保护等级> 2.4kV典型值 （注3）
•符合RoHS标准
•不含有卤化合物和氧化锑
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMA6023PZT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-3.6
- PD Max (W)
：1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=80
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=60
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：17.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：665
- Package Type
：UDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN6 |
1990 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
DFN-6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
SYFOREVER |
25+ |
UDFN-6 |
20300 |
SYFOREVER原装特价FDMA6023PZT即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
12+ |
UDFN-6 |
88 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
23+ |
QFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DFN-6 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
3561 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
