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FDMA6023PZT数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMA6023PZT

功能描述

双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-3.6A,60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 17:42:00

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FDMA6023PZT规格书详情

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案,适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET,以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时,可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2超薄封装针对其物理尺寸提供了卓越的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

•VGS = -4.5 V,ID = -3.6 A时,最大rDS(on) = 60mΩ
•VGS = -2.5 V,ID = -3.0 A时,最大rDS(on) = 80mΩ
•最大rDS(on) = 110 mΩ (VGS = -1.8 V, ID = -2.0 A)
•VGS = -1.5 V,ID = -1.0 A时,最大rDS(on) = 170mΩ
•薄型 - 最厚0.55 mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm薄型封装
•HBM静电放电保护等级> 2.4kV典型值 (注3)
•符合RoHS标准
•不含有卤化合物和氧化锑

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMA6023PZT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-3.6

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=80

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=60

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :665

  • Package Type

    :UDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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