双 P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-2.9A，90mΩ

该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。 该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。 当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。 MicroFET 2x2封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合线性模式应用。 •最大rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V，ID= -2.9 A）\n•最大rDS(on) = 130 mmΩ （VGS = -2.5 V, ID= -2.6 A）\n•最大rDS(on) = 170 mmΩ （VGS = -1.8 V, ID= -1.7 A）\n•最大rDS(on) = 240 mmΩ （VGS = -1.5 V, ID= -1.0 A）\n•薄型 – 最厚0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•HBM静电放电保护等级为>2kV（注3）\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

Dual P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30 V, -2.9 A, 90 m廓

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仙童半导体

4-PIN FULL PITCH MINI-FLAT PACKAGE RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER OUTPUT OPTOCOUPLERS

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仙童半导体

4-Pin Full Pitch Mini-Flat Package Random-Phase Triac Driver Output Optocouplers

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4-Pin Full Pitch Mini-Flat Package Random-Phase Triac Driver Output Optocouplers

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